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近日，台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情，其晶体管密度达到了破天荒的2.5亿/mm²！

作为参考，采用台积电7nm EUV工艺的麒麟990 5G尺寸113.31mm²，晶体管密度103亿，平均下来是0.9亿/mm²，3nm工艺晶体管密度是7nm的3.6倍。这个密度形象化比喻一下，就是将奔腾4处理器缩小到针头大小。

性能提升上，台积电5nm较7nm性能提升15%，能耗提升30%，而3nm较5nm性能提升7%，能耗提升15%。

此外台积电还表示，3nm工艺研发符合预期，并没有受到疫情影响，预计在2021年进入风险试产阶段，2022年下半年量产。3nm制程是半导体产业历年最大手笔投资，更是龙头争霸的关键战役。据了解，台积电3nm工艺总投资高达1.5万亿新台币，约合500亿美元，光是建厂就至少200亿美元了。

工艺上，台积电评估多种选择后认为现行的FinFET工艺在成本及能效上更佳，所以3nm首发依然会是FinFET晶体管技术。

作为台积电的主要竞争对手，三星追赶台积电的企图一直没有停过，三星在14纳米制程大幅落后台积电后，随后的10nm、7nm制程更被台积电大幅领先，三星因而跳过5nm，直接决战3nm制程，技术选择都很激进，将会淘汰FinFET晶体管直接使用GAA环绕栅极晶体管。计划在2030年前投资1160亿美元，希望超越台积电成为全球第一大晶圆代工厂。

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